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850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip & Array850nm 10Gbps / 40Gbps 光探测器芯片及阵列


INTRODUCTION介绍


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850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip&Array - OS-PD60A、OS-PD4X60A


Features 

  High data rates up to 12Gbps

  GaAs PIN Photodiode

  Anti-reflective for 850nm                                     

  High responsivity

  Low capacitance

  Low dark current

  Top illuminated planar structure

 

Application
   850nm 10Gbps 1x4 1x8 1x12 Array

   Short-Reach Optical Networks

   Active Optical Cable (AOC) Receiver

   Multi-mode Fiber Datacom


Specification  (Tc=25℃, Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ


850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=1310nm

λ=1550nm

Dark current

ID


0.05

0.3

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.13

0.16

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


12.0


GHz

3dB down, RL=50Ω


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产品中心HONESTY CREATES QUALITY AND INNOVATION LEADS THE FUTURE

专注于光通信、数据中心、5G移动通信、HDMI等光纤通信用半导体光探测器芯片

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河北光森电子科技有限公司主要产品以光通信用半导体近红外探测器为主,另外提供半导体紫外探测器、半导体THz探测器等。产品应用覆盖光通信系统(5G通信、光纤到户)、数据中心、物联网及自动控制等领域,并可提

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